Title전기/전력공학 기초-42(Quality Factor/IGBT&MOSFET)
AuthorpstekCount487Date2015/07/22

Quality Factor

1. Inductor Coil에 외부로부터 온 에너지를 저장할 수 있다.
  그러나 저장된 에너지는 코일 자체의 저항 성분에 의해 시간이 흐르면서 소멸되는데
  이때 발생되는 손실의 정도를 규정하기 위해 도입되는 것이 Quality-Factor이다.
2. Q=Reactance / Resistance
3. Reactance는 코일의 Inductance에 의한 저항 성분
4. Resistance는 Ohmic 저항 성분 : 두 가지 이상의 물체가 전기적으로 접촉될 때에는
   그 두 물체가 완전한 접촉을 할 수 없기 때문에 모두 저항성 접촉이라고 할 수 있다.

IGBT & MOSFET 

1. IGBT & MOSFET이란? 
  (1) MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 
      A. 빠른 Switching 속도

      B. 소형 경량화 가능

  (2) MOSFET 종류
      A. <공핍형 MOSFET>
         – 의도적으로 D-S 사이에 채널을 연결한 구조
         – Gate (-), (+) 전계 인가를 통해 Switching
         – 소자로 사용할 수 있음

      B. <증가형 MOSFET>
         – VG > Vth를 통해 D-S 사이 채널을 유기
 
(3) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
      A. MOSFET과 Power Transistor의 장점을 결합한 소자
      B. 스위칭 속도는 MOSFET보다 늦지만 고압에서의 낮은 온저항으로 인해
         중소 용량의 산업용에서부터 일반 가정용까지 폭 넓게 사용

2. Device 선정 방법
  (1) 내전압
      A. MOSFET : 정격 전압의 80%까지 사용 가능하다.
      B. IGBT : 정격 전압의 통상 60%까지 사용가능하다.

  (2) <MOSFET>
      A. Switching 시 발생할 수 있는 서지 전압으로 인해, 정격의 80% 이내에서
          VDSS(최대정격) < Vds(Peak) < V(BR) DSS 상황에서 순간 Peak 전압에 대해 제너와 같이 동작한다.

  (3) <IGBT>
      A. Turn on/off 시 발생하는 서지 전압으로 인해 정격의 60% 이내에서 사용한다.
         내부 보호 기능 없으며, 정격 초과 시 바로 Break down 된다.

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